Un gaz d'électron confiné dans un nanotransistor est considéré. À de telles échelles de grandeur, les effets quantiques ne peuvent plus être négligés. Un modèle de transport diffusif des porteurs de charge est présenté et analysé. Une simulation numérique de ce modèle a permis de décrire le transport dans un nanotransistor de type Double-Gate MOSFET.